在决定基于闪存技术的固态硬盘（SSD）时，考虑因素取决于多级单元（MLC）或单级单元（SLC）的差异。在规划存储系统时，值得考虑的是值得考虑的。 MLC闪存的主要区别在于价格低廉，但与SLC技术相比，它的磨损率更高，写入性能更低。 SLC加速，更可靠，并且在性能最佳的存储阵列中具有特色，但它更昂贵。
所有闪存都因磨损而恶化，这是因为电池的擦除或编程导致其因施加电压而磨损。每次发生时，电荷都会陷入晶体管的栅极电介质中，并导致电池属性发生永久性变化，经过多次循环后，电池就会出现故障。 SLC需要一个单元来存储一位数据。 MLC存储器更复杂，并且能够从存储在单个单元中的信号解释四个数字状态。这会创建一个更密集的给定区域，但它会更快地磨损。 MLC单元通常被评定为10,000个擦除/写入周期，而SLC单元可能持续失败之前的10倍。然而，由MLC电池组成的产品制造商可以并且确实拥有改进的技术和技术。
有几种改进技术可供使用。磨损均衡会在芯片周围移动写入周期，从而使电池均匀磨损。设备上重复数据删除可降低写入的数据量，从而减少磨损。冗余存储设备在故障时更换电池的能力的一小部分。写入优化存储数据写入，因此可以使用大卡盘来减少写入操作的数量。企业MLC，eMLC，是集成此类技术的MLC产品的开发术语。大多数所述技术都是在设备控制器中实现的 - 设备和计算机之间的接口 - 与像英特尔这样的公司在实现这些技术方面是最先进的。尽管存在与SSD相关的耐久性问题，但它们仍然比旋转介质更可靠。
实现技术的定义是什么。对于高速数据库等应用程序，其中性能以每秒事务数量来衡量，应与基于价格或性能选择的适当技术相匹配。无论如何，MLC和SLC通常用于不同的应用，因为它们之间每千兆字节的价格差异是四倍。 MLC可以出现在消费级产品和企业中，即使其重要性，性能也不是主要考虑因素。
在同一存储系统中进行维修时，可以使用与旋转介质撕裂相同的方式对两种类型的SSD进行分类。大多数都包含在自动SSD撕裂的形式中。 SLC通常会限制存储层树，因为高速访问大型数据库至关重要，价格是次要问题。未来的产品具有逐步将闪存SSD类型和旋转介质集成到基于性能/成本的层中的潜力。随着价格下降和可靠技术的提高，MLC技术的价格优势对于除了最苛刻的应用之外的所有应用都将更加重要，因为它比旋转介质更快，更稳健。
SLC vs MLC的比较
1- 性能
由于相同的基本闪存单元用于SLC和MLC NAND闪存，因此MLC可以使密度增加一倍以上，几乎没有芯片尺寸损失，因此除了可能的产量损失之外不会降低制造成本。 SLC和MLC之间的读取带宽是可比较的。通常，固态驱动器的可用带宽与控制器架构和设计的关系比与闪存的速度有关。
2- 耐力
SLC NAND闪存的耐用性是MLC NAND闪存的10到30倍。耐久性和工作温度的差异导致SLC NAND闪存被认为是工业级的原因，而MLC NAND闪存被认为是消费级。
3- 错误率
MLC NAND闪存的错误率比SLC NAND闪存高10到100倍，并且随着程序或擦除周期的增加而降低得更快。这是由于MLC中电压阈值之间的极窄边界。影响闪存数据可靠性的四个主要错误机制是程序干扰，读取干扰，泄漏和电荷捕获。
尽管MLC NAND在成本方面具有显着优势，但SLC NAND闪存在坚固的航空，军事和工业应用中显而易见。 MLC NAND闪存问题是在更高温度下保留数据，更高的误码率和更慢的访问时间使其不适合这些应用。选择最可靠的非易失性存储对于影响人类生活，关键任务和有价值的任务非常重要。
